反应离子刻蚀机（RIE） 发布时间：2023-06-09
一、设备型号：PL 200C-RIE
二、设备特点
整机 Footprint：930mm×650mm
支持自动控压和位置模式控压
人机界面友好，易操作
模块化布局，便于升级扩展和维护
标配内衬，工艺稳定性好
8寸向下兼容
工艺菜单化自动运行
高精度控温样品台
三、技术参数
抽气方式：正下方
样片尺寸：8 寸
RF功率源：0~300W/500W/可调，自动匹配
分子泵：抽速≥ 600L/s
前级泵：油泵/干泵
工艺控压：自动控压为选配
气体种类：H2、CH4、O2、N2、Ar、SF6、CF4、CHF3
气体量程：0~5sccm/50sccm/100sccm/200sccm/300sccm/定制
气体种类与量程：可以改变/固定
样片控温：冷循环水（10°C~室温）
控制系统：全自动
交互界面：触摸屏
工艺腔内衬：有
四、蚀刻材料
硅基材料：Si、SiO2、石英、SiNx……
有机材料：PR、PMMA、HDMS、有机膜……
五、案例分享
应用：多层结构芯片的反应离子腐蚀技术（RIE）
因钝化层的不导电性和对观察和测试芯片的阻碍作用，去除钝化层成为样品制备的重要步骤。用机械探针进行失效分析时，探针必须与金属层直接接触，因钝化层不导电，妨碍了这个接触。采用SEM和电子束技术进行失效分析时，因钝化层不导电，其荷电作用影响了图像和波形测试的质量。去除钝化层保留金属层和衬底材料，要求样品制备技术具有选择性，这就要求样品制备技术具有方向性。
缺乏方向性的腐蚀技术称为各向同性腐蚀技术，而具有明显方向性的腐蚀称为各向异性腐蚀。
溅射腐蚀技术就是各向异性腐蚀技术，在等离子反应室通入惰性气体，在电场加速作用下，等离子体轰击样品表面，利用等离子的高动能，通过碰撞，从样品表面刻蚀材料。这种技术材料选择性差，对不同材料的腐蚀速度由材料本身决定，其选择性通过掩膜来实现。但这种技术具有各向异性，腐蚀方向垂直于材料表面。
反应离子腐蚀技术是等离子腐蚀技术和溅射腐蚀技术折中的技术，同时具有材料选择性和方向，具有较低的制样风险。
反应离子腐蚀与等离子腐蚀的区别如下：
①RIE的工作压强小；
②RIE的功率大；
③RIE设备的全部硬件和工艺均由计算机控制，效率高，操作方便。
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