微光显微镜（EMMI） 发布时间：2015-08-07 10:01:01
一、设备型号
金鉴EMMI定位系统。
二、原理
微光显微镜（Emission Microscope, EMMI）是利用高增益相机/探测器来检测由某些半导体器件缺陷/失效发出的微量光子的一种设备。
当对样品施加适当电压时，其失效点会因加速载流子散射或电子-空穴对的复合而释放特定波长的光子。这些光子经过收集和图像处理后，就可以得到一张信号图。撤去对样品施加的电压后，再收集一张背景图，把信号图和背景图叠加之后，就可以定位发光点的位置，从而实现对失效点的定位。
InGaAs EMMI和传统EMMI具有相同的原理和功能。两种探测光子的传感器都是由电子-空穴复合和热载流子触发的。它们的不同之处在于InGaAs具有更高的灵敏度，并且可以检测更长的波长范围900-1700 nm（相对于 350-1100 nm 的传统EMMI），这与 IR（红外）的光谱波长相同。
三、仪器特点
（1）InGaAs采集相机，在近红外区域具备高灵敏度；
（2）分辨率高；
（3）多倍率图像采集：5X~100X，20X镜头一个像素点约1微米；
（4）最低-60°C电制冷降低暗电流带来的信噪；
（5）电制冷/空气冷却自由转换。
四、应用范围
（1）LED故障分析；
（2）太阳能电池评估；
（3）半导体失效分析；
（4）EL/PL图像采集；
（5）光通信设备分析。
侦测到亮点的情况：
会激发光子的缺陷：P-N接面漏电或崩溃、因开路或短路而误动作的电晶体、闩锁效应、闸极氧化层漏电、细丝残留的多晶硅、硅基底的损害、烧毁的元件假缺陷(正常操作即会激发光子)。
假缺陷(正常操作即会激发光子)：浮接状态的闸极、饱和区操作中的BJT或MOSFET、顺向偏压的二极体。
侦测不到光子的情形：
光激发位置被上方层次挡到、欧姆接触、埋入式的接面、大面积金属线底下的漏电位置、电阻性短路或桥接、金属连接短路(有时仍会被EMMI侦测到)、表面导通路径、硅导通路径、漏电过小(<0.1uA)。
五、案例分析
（1）客户送样漏电倒装LED芯片，通过InGaAs EMMI测试在芯片正极电极位置检测到异常点。
（2）客户送样短路倒装LED芯片，通过InGaAs EMMI测试在芯片位置可检测到异常点，并观察到击穿形貌。
（3）客户送样漏电垂直LED芯片，通过InGaAs EMMI测试在芯片位置可检测到异常点。
（4）客户送样硅基芯片，通过InGaAs EMMI测试在芯片位置可检测到异常点。
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