半导体激光器TEM分析 发布时间：2023-08-25 15:16:21
边发射半导体激光器（EEL）通常用半导体激光器芯片的的解理面作为谐振腔，在前后两腔上分别镀上高反膜和增透膜形成谐振腔镜，实现激光器的单面出光。不同膜层结构可以使腔面具有不同的光学特性，且导体激光器的腔面损伤是制约半导体激光器高可靠性的因素之一，通过TEM分析HR膜和AR膜结构是有效的手段之一。
激光器外延结构设计对于改善载流子分布、光学限制、应力调控至关重要，通过TEM分析各膜层的成分与厚度，了解实际工艺结果与设计结构的差异，为后续工艺优化提供参照。
垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）出光方向垂直有源层，是一种光学谐振腔与半导体激光器芯片衬底垂直、激光光束传输方向与外延芯片表面垂直的半导体激光器，有源层上下是反射器，反射器可以是介质膜或半导多量子阱的分布布拉格反射器DBR。
氧化型VCSEL的因氧化物边缘附近的电流密度最高，通过TEM观察损伤常常发生在氧化物尖端附近。半导体激光器失效的主要原因是产生了位错，即暗线缺陷DLD (dark line defect)，器件内的位错线起源于氧化物尖端后再传播到有源区内，最终导致器件失效。
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