LED TEM分析 发布时间：2017-04-23 12:55:41
透射电子显微镜TEM在LED芯片研究中可以提供有关LED芯片结构、膜层厚度、位错缺陷等方面的详细信息。不同类型的芯片结构在工艺设计上有所不同，金属电极与外延各层成分分析与厚度测量常常需要通过TEM分析才能获得更加精确的信息。
电极结构是为了让电流顺利流向发光区，不同电极材料结构同样影响着芯片的光电性能，如Cr因优良的粘附性常用做与p-GaN的接触层，Al具有高反射率，增加芯片的出光量，Ti/Pt作为阻挡层防止Au扩散高活泼性的Al层，Au优良的导电性作为表层等。TEM线扫提供沿着一条线的元素分布信息，得到线上不同位置的元素种类和相对含量（at%和wt%），提供详细的产品结构信息，为后续工艺优化或产品结构设计提供参照。
点扫用于获取感兴趣的局部区域（或精确的某个特定位置）的元素种类和相对含量信息。
在面扫模式下，面扫可以获取整个区域的元素分布信息，直观呈现不同区域各元素的分布与扩散情况。
TEM因其具有非常高分辨率，在LED芯片外延结构分析上具有独到的优势，对外延整体结构进行分析，确定P型区、有源区、N型区各层成分与厚度。
TEM有多种成像模式，可以通过不同的成像模式获取样品的不同信息，在高分辨电子显微像HRTEM下能够表征材料原子级别的形貌及结构信息，对量子阱结构厚度精确测量。
弱束暗场像WBDF常用与对外延位错的表征，分析位错类型，结合腐蚀坑密度的方法，对外延位错密度进行评估与表征。
g=0002 螺位错观察
g=11-20刃位错观察
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