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什么是半导体芯片的失效切片分析? 发布时间:2024-12-10 14:32:38


芯片切片分析技术

芯片切片分析是一种在半导体、电子显微学和材料科学等领域广泛应用的技术。通过将芯片切成薄片,研究人员可以直接观察芯片内部的微观结构,如晶体管、电路布线等,从而深入研究芯片的内部结构和性能。这项技术不仅有助于优化芯片设计,提升性能和可靠度,还可以用于故障检测和质量控制。金鉴实验室提供专业的芯片切片分析服务,能够帮助客户优化芯片设计,提升性能和可靠度,同时进行故障检测和质量控制。

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切片方式的介绍

1. 机械研磨

机械研磨是一种低成本的切片技术,适用于各种材质的样品,如金属、陶瓷、电子产品等。该方法可以提供大面积的观测范围,但精度较低,操作步骤复杂,且在研磨过程中容易产生机械应力效应,如变形、弯曲、刮痕、裂缝等。机械研磨包括取样、镶嵌、研磨和抛光等步骤。镶嵌可以保护边缘和易碎样品,而研磨和抛光则是为了获得光亮无划痕的表面。

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2. CP(Cross-section Polisher)

CP技术利用离子束切割,可以避免研磨过程中产生的应力和刮痕,制备出镜面样品,表现出材料内部的真实结构。这种方法适用于不同硬度的样品,可以制备出光滑无损伤的表面,有利于后续的SEM、EDS等分析设备的使用。

金鉴实验室拥有专业LED质量工程师团队及精密的仪器设备。同时,CP截面抛光仪制样广泛,可用于各种材料样品(除了液态)的制备,适应大多数材料类型,对大面积、表面或辐照及能量敏感样品尤佳,有钢铁、地质、油页岩、 锂离子电池、光伏材料、陶瓷、金属(氧化物,合金)、高分子,聚合物、薄膜、半导体、EBSD样品、生物材料等包括平面抛光与截面抛光。

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3. Dual Beam FIB

聚焦离子束(FIB)切片技术结合了FIB和SEM,具有极高的精度和灵活性,可以在纳米级别上对材料进行精确的加工和观测。DBFIB是目前切片设备中精准度最高的,适合小范围的精密切片。为了方便大家对材料进行深入的失效分析及研究,金鉴实验室具备Dual Beam FIB-SEM业务,包括透射电镜( TEM)样品制备,材料微观截面截取与观察、样品微观刻蚀与沉积以及材料三维成像及分析等。

FIB切片技术的基本原理是利用高能离子束将目标样品进行切割,通过物理撞击和化学反应剥离样品,实现高精度切割。

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关键技术和应用

1. 样品制作:芯片切片分析在样品制作方面尤为关键,特别是对于透射电镜(TEM)及扫描式电镜(SEM)试样的制作。这些技术可以用于观察样品的内部结构及缺陷分析,为后续的分析提供基础。

2. 精准缺陷及制程工艺切片:聚焦离子束(FIB)切片技术可以应用于5nm以下的先进制程工艺,实现精准度极高的切片。这使得科学家能够在微观尺度上对材料进行深入研究,优化芯片设计。

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3. 失效点VC(Voltage Contrast)定位FIB技术可以定位精准到单个晶体管位置,这对于失效分析尤为重要。金鉴实验室能够通过精准的失效点定位,帮助客户深入了解芯片失效原因,提高芯片制造质量。

4. SEM取向衬度:利用SEM技术,可以根据晶粒对比分析晶粒大小,这对于评估芯片生产过程中的质量控制水平至关重要。

5. IC线路修补FIB技术还可以用于IC线路的修补,这对于提升芯片的性能和可靠度具有重要意义。


切片方式的比较

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通过上述分析,我们可以看到不同的切片方式各有优势和局限。金鉴实验室致力于为客户提供最适合的切片方式,以提升芯片切片分析的效率和准确性,从而更好地优化芯片设计和提升产品质量。


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