C-Sam在MOSFET领域的应用 发布时间：2019-09-25
什么是C-Sam？
C-Sam，中文名称为超声波扫描显微镜，是利用超声波脉冲探测样品内部空隙等缺陷的仪器，主要用于观察组件内部的芯片粘接失效、分层、裂纹、夹杂物、空洞等。是一项非破坏性的检测组件的完整性，内部结构和材料的内部情况的测试，作为无损检测分析中的一种，它可以实现在不破坏物料电气能和保持结构完整性的前提下对物料进行检测。可用于电子产品研发、生产、物料检测、质量控制、质量保证及可靠性等领域，对提高电子元器件质量，改善工艺质量以及产品可靠性发挥着至关重要的作用。特别是塑封集成电路，通过超声波扫描显微镜检查能够有效评价器件的结构缺陷、工艺质量等，以达到元器件筛选或分析改进的目的。
超声波显微镜在MOSFET领域失效分析中的优势：
1、非破坏性、无损检测材料或芯片内部结构。
2、可分层扫描、多层扫描。
3、实施、直观的图像及分析。
4、缺陷的测量及缺陷面积和数量统计。
5、可显示材料内部的三维图像。
6、对人体是没有伤害的。
7、可检测各种缺陷（裂纹、分层、夹杂物、附着物、空洞、孔洞等）。
金鉴实验室对于超声波显微镜检测主要有两种模式
超声波显微镜检测主要有两种模式，即反射模式和透射模式。反射模式是最常用的扫描方式，用于判断样品内部界面分层或其他界面异常情况，材料中的空洞、夹杂物，沿检测平面的裂纹等；透射模式用于样品内部分层缺陷的快速简易筛选，主要是针对一些大企业或工厂，有大量产品需要筛检的场合。透射模式无法确定被测材料内部缺陷的深度位置，但可以比反射扫描模式更快捷，方便的判断被测器件内部是否有缺陷，因此被许多半导体封装企业在筛选产品时所广泛应用。
MOSFET简介
金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称上包括NMOS、PMOS等。
适用MOS管（送样需知）
1、需要液体进行超声波传输，可能给样品带来损害技术参数。
2、送测样品的表面要平整，内部不能有很多气泡，体积小。类似下面这种结构可以适用。
类似下面这种结构就不适用。因为芯片上面有一层铜夹板，要穿过这一层铜夹板才能扫描到芯片，而穿过铜夹板这层需要很大的能量，能量越大，噪音的波形也越大，穿过铜夹板层到达芯片层后，由于噪音的波形很大，很难捕捉到芯片层的波形，也就很难扫描出芯片层的正确图像。
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